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在半导体生产中,尤其在生产电子设备所需的复杂电路时,等离子体刻蚀是所需的基本工艺。
等离子体刻蚀又称干法刻蚀,在此工艺过程中,晶圆暴露在真空刻蚀室的等离子体中,受到等离子体中离子的轰击,从而可以去除表面未被光刻胶保护的材料。
由于等离子体的温度会影响刻蚀过程的速度和效率。在半导体生产中,对等离子体进行高精度的温度控制非常重要。
晶圆的加工级别在微米级和纳米级之间,即使温度只是发生了微小的变化,也会导致蚀刻结构的尺寸和形状发生显著变化。
LAUDA 为等离子体刻蚀这一敏感工艺,提供专门设计的 Semistat 系列。
基于久经考验的珀尔帖导热原理,LAUDA Semistat 工艺恒温器可对等离子体刻蚀进行可重复的温度控制。Semistat 可以对静电晶圆吸盘(ESC)进行动态温度控制,是适用于各种等离子体刻蚀工艺的通用 TCU。Semistat 节能、省空间、温度控制稳定。
开创性的珀尔帖恒温器:为要求苛刻的工艺,提供快速精准的温度控制。
用于半导体行业的,−20 到 90 °C 的热电工艺恒温器:
• 制冷功率, 从 1.2 到 4.4 kW
• 加热功率, 从 3 到 12 kW
技术参数:
产品优势:
• 无需制冷剂
• 体积小,节省宝贵的洁净室空间
• 导热液体的消耗量少
• 无需经常维护
• 大幅减少导热液体的使用量,节省成本
基于珀尔帖原理的 LAUDA Semistat ,用于控制等离子刻蚀应用的温度,在运行过程中会及其节能。
热电式恒温器和压缩机式恒温器相比较,有以下优势:
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静态温度控制 • 大体积的导热液体 • 远离应用 • 加热/冷却速度慢 |
动态温度控制 • 小体积的导热液体 • 靠近应用 • 快速加热/ 冷却
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由上述可见,这些优势提高了等离子刻蚀工艺中热电恒温设备的效率,并显著降低了能耗。
基于实际客户应用,我们对 LAUDA Semistat S 2400 恒温器和竞争对手的恒温器进行了比较测量。
我们根据测量出的耗电量,确定了各自的成本,并计算出了所节省的电量。
相比之下,LAUDA Semistat S 2400 可节省 90%的电量。
同时,根据测量的加热和冷却速率,确定了升降温时间,并计算出了所节省的时间。热电型设备的冷却和加热时间(斜率下降和斜率上升时间)也明显少于用压缩机型恒温设备。
相比之下,LAUDA Semistat S 2400 可节省高达 67% 的冷却时间,和 81% 的加热时间。